提拉法晶体生长炉的工作原理（Czochralski法，简称CZ法）是利用温场控制来使得熔融的原料生长成晶体。
首先，将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化。然后，调整炉内温度场，使得熔体上部处于过冷状态。接着，在籽晶杆上安放一粒籽晶，并让籽晶接触熔体表面。当籽晶表面稍微熔化，建立起固液界面后，缓慢提拉并转动籽晶杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上。在不断提拉和旋转的过程中，熔体和籽晶轴的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，使得熔体逐渐凝固并生长出单晶体。
这种方法的主要优点是生长速度快，可以生长出高质量、大面积的晶体，并且适用于多种材料的生长。然而，提拉法也有一些缺点，例如需要精确控制温度、提拉速度和旋转速度等参数，以及籽晶的质量和形状对晶体生长的影响较大。
总的来说，提拉法晶体生长炉的工作原理是通过控制温场和熔体与籽晶的相互作用，使得熔融的原料在籽晶上逐渐生长成单晶体。这种方法广泛应用于半导体、光学、激光等领域，是晶体生长的重要技术之一。